1µm柵極氧化固態(tài)劑量計 技術(shù)要求 典型數值在27°C 氧化層厚度10000A 輻射Vth靈敏度 輻射場(chǎng)= 0.05 MV/cm : 靈敏度= 2.4mV/rad 輻射場(chǎng)= 0 MV/cm : 靈敏度= 0.8mV/rad (靈敏度在 1.5 krad(H2O)，在以下讀寫(xiě)器的配置中使用一個(gè)恒量10µA) 溫度補償 TVTC 15mV/°C(該數據出自溫度27°C-100°C線(xiàn)性模式中的外推Vtp數值.) 線(xiàn)性模式中Z.T.C. 數值~ -5µA(Vs=Vb=0, Vds=-0.1) 飽和模式中Z.T.C.數值~ -30µA(使用以下讀寫(xiě)器電路配置) 預輻射劑量計的特點(diǎn) 閾值電壓（外推） -17.2 /- 0.4V Vth漂移時(shí)間（秒） 4mV(該數據出自讀寫(xiě)器配置強迫40µA，兩個(gè)中有一個(gè)因子會(huì )zeng大) 氧化層擊穿電壓>400V 溝道漏電流Vd=-12, Vg=Vs=Vbulk=0 ~ 20 pA 亞閾值斜率-500 mV/decade 溝道電阻Vgs-Vth=5V, Vds=-0.1 ~ 1.95 Mohms 福坦尼斯亞洲有限公司還提供深水高純鍺譜儀、蓄水池全自動(dòng)水樣核素活度監測系統、同軸高純鍺探測器GCD系列（液氮致冷）、平面型高純鍺探測器GPD系列（液氮致冷）、便攜式高純鍺γ射線(xiàn)譜儀、手持式高純鍺探測器、自帶鉛室高純鍺譜儀、液體和氣體流量核素分析的屏蔽高純鍺譜儀、移動(dòng)式高純鍺譜儀（現場(chǎng)使用）、X γ射線(xiàn)高純鍺譜儀（電致冷）、流動(dòng)式高純鍺譜儀、CdZn TeCdTe探測器和相關(guān)電子附件等相關(guān)產(chǎn)品。