該設備主要通過(guò)磁控濺射的方式實(shí)現ITO薄膜的濺射，子創(chuàng )公司在該設備的設計中充分考慮到觸摸屏用ITO導電膜對本底真空、清潔度、電導率、膜層均勻性等關(guān)鍵指標的要求，運用了多項擁有自主知識產(chǎn)權的關(guān)鍵技術(shù)，核心部件采用國際，提高設備的綜合性能和性?xún)r(jià)比。 特點(diǎn)：1.真空室體材料采用 SUS304 ，內壁進(jìn)行拋光處理，外壁拋光后噴珠。2.獨立門(mén)閥—插板閥隔開(kāi)，隔離性好，工藝穩定。3.磁導向傳動(dòng)，穩定性好。4.變頻調速電機驅動(dòng)，準確控制傳動(dòng)速度。5.PLC總線(xiàn)控制，人機界面友好，操作極為簡(jiǎn)便 技術(shù)參數：本底真空：6.0E-6mbar平均生產(chǎn)周期：根據產(chǎn)品確定基片架尺寸：根據要求定做膜層均勻性：±3%